重磅│西电郝跃院士团队在先进微电子器件领域取得突破性进展

日前，

在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM ）会议上报道了该研究成果，并收录了论文《Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS》。郝跃院士团队的相关研究论文在IEDM上发表，标志着西安电子科技大学在先进微电子器件研究领域正逐步走向世界前列 。

新型微纳米CMOS器件研究课题由郝跃院士团队的韩根全教授和博士生周久人等20余名研究生组成。近期，课题组开展了基于铁电材料铪锆氧（HfZrOx）和高迁移率锗基沟道负电容MOSFET器件研究。通过利用负电容对沟道电场的放大效应，有望突破传统MOSFET器件室温下亚阈值摆幅不能小于60mV/decade的物理限制，并提升器件电流；锗和锗锡的负电容器件最小亚阈值摆幅达到21 mV/decade，并获得比传统器件更高的工作电流。在器件的测试电容-电压曲线中观测到了负电容效应导致的反型层电容大幅度提升现象，加州大学伯克利分校研究人员在IEDM 2016上报道的相关理论证明，与西电研究的实验结果非常一致。会议报告和论文引发了加州大学伯克利分校、东京大学以及台湾国立大学等单位相关研究组的极大兴趣， 并展开了深入讨论。

“后摩尔时代新器件技术”是郝跃院士及其团队近年来力推的研究方向。随着CMOS技术节点按比例缩小（scaling）逐渐走向终结，后摩尔时代新器件将影响和决定未来微电子器件技术发展和集成电路产业格局。韩根全教授和周久人共同完成的这篇关于负电容锗和锗锡MOSFETs的论文是Beyond CMOS器件研究，正是后摩尔时代新器件技术的热点和重要研究课题。该研究工作得到国家优秀青年科学基金项目和国家自然科学基金重点项目的资助，是宽禁带半导体技术国家重点学科实验室重点支持的研究课题。

IEDM（International Electron Devices Meeting）始于1955年，是国际微电子器件领域的顶级会议，也是IEEE旗下的王牌会议之一，在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力，被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。IEDM主要报道国际微电子器件领域的最新研究进展，以及该领域极具应用前景的研究成果，是全球知名学术机构、高校以及行业领军企业报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口与平台，如Intel、IBM等国际知名公司的许多核心技术都是在IEDM上首次披露，因此，IEDM会议又是国际微电子器件领域的“风向标” 。

相关成果截图：负电容锗（左图）和锗锡（右图）MOSFET栅结构TEM图

相关成果截图：负电容锗MOSFET（FE HZO Ge pFET）实现小于60 mV/decade 亚阈值摆幅（左图），器件展示了带有明显的负电容特性的电容曲线（右图）

文章信息

Jiuren Zhou, Genquan Han, Qinglong Li, Yue Peng, Xiaoli Lu, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, Qing-Qing Sun, David Wei Zhang, and Yue Hao, “Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS,” Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International, Pages: 12.2.1 - 12.2.4

西电微电子学院简介

西安电子科技大学微电子学院，源于1956年学校开设的半导体物理与器件专业。1958年，西电科研人员从河北省宣化县出产的煤中提炼出国内第一炉半导体材料锗单晶 ，曾经在中国人民解放军军事博物馆综合馆展出。

学院是国内较早开展微电子专业人才培养和科学研究的单位之一，是全国首批九所国家级示范性微电子学院之一，全国五个集成电路人才培养基地之一 。学院建有国家级实验教学示范中心、“宽带隙半导体技术”国防重点学科实验室、“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室、陕西省大功率半导体照明工程研究中心等。

郝跃院士

通讯员：程珺

来源：西安电子科技大学新闻网、西安电子科技大学官方微信

面向“卡脖子”难题！郝跃院士为西电微电子学院“十四五”规划把舵定向

为科学编制西安电子科技大学微电子学院“十四五”规划，准确研判面临的挑战和机遇，聚焦“十四五”发展重点，在前期安排部署、广泛调研、认真研究的基础上，8月21日下午，西电微电子学院召开“十四五”规划研讨会，邀请中科院院士郝跃 、西安电子科技大学党委副书记杨银堂 为学院十四五规划把舵定向。会议在东大楼321B会议室召开，由微电子学院院长张玉明主持。

张玉明首先汇报了微电子学院“十三五”规划完成情况及十四五规划纲要。他提出，“十四五”期间，微电子学院坚持学科为纲，按照“统筹规划、分类发展、整体提升”的原则，落实学科方向攀登、振兴、培育三大计划，坚持人才培养和师资建设两大重点，落实深化从严治党、优化办学条件、提升治理能力、拓展外部资源四项保障，并分别介绍了学院十四五规划八项主要任务与战略举措。

郝跃对微电子学院十四五规划重点工作提出要求。他强调，十四五期间学院要着眼大局，主动对接国家重大战略需求，进一步解放思想，保持昂扬的精神面貌，勇立国家集成电路发展潮头，勇挑解决国家卡脖子难题重担 ；坚持引育并举，优化师资结构，给青年学者提供成长的通道和舞台，以一流师资培养一流集成电路人才 ；牢牢把握集成电路正式成为首个交叉门类一级学科 这一重大机遇，多方发力，多面联动，合理布局学科方向，统筹推进科研工作纵深发展，建立高质量研究体系。

杨银堂充分肯定了微电子学院在“十三五”期间取得的成绩。他认为，微电子学院十四五规划编制要注意处理好和学校整体规划的关系，将学院建设目标融入学校发展大局中；对内凝聚共识、争取多方支持，重点工作提前布局，开拓思路，坚持发展改革不断创新；对外直面机遇与挑战，协调优势资源，突出重点，产出有建设性和突破性的高水平成果；充分发挥人才聚集“雁阵效应”，进一步增强西电微电子学院综合实力和影响力。

西电微电子学院全体班子成员、系主任及教师代表参加会议，并结合自身工作实际就学院“十四五”规划重点工作进行深入交流研讨，提出意见建议。

（来源：西电新闻网 ）

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